作 者 ：孙宇1, 张敏1, 薛培英1,2, 郑坤1, 王建广1, 刘文菊1,2,*
期 刊 ：植物生理学报 2016年 52卷 7期 页码：1019-1027
关键词：水稻；砷；亚细胞分布；硅/砷比；
摘 要 ：以水稻品种‘Italica carolina’为试验材料, 分别生长在含有AsIII和AsV介质中3 d, 采用营养液培养方法和亚细胞组分分级技术, 研究了不同硅/砷比对水稻剑叶和根中砷亚细胞分布特征的影响。结果显示, 水稻无论生长在AsIII或AsV条件下, 根系和剑叶亚细胞不同组分中砷含量顺序为: 胞液>细胞壁>细胞器。从水稻根中砷的亚细胞分布来看, AsIII培养条件下加硅明显降低了根系砷在亚细胞组分中的分布, 且硅/砷比10:1时根细胞器和胞液中砷的含量最低; 而在AsV培养条件下, 仅硅/砷比200:1处理显著降低了根系胞液组分中的砷含量(P<0.05)。从水稻剑叶中砷的亚细胞分布来看, AsIII培养条件下硅/砷比10:1显著降低了胞液和细胞壁中的砷含量(P<0.05)且达到了最低值, 而细胞器中砷含量在硅/砷比1:1时达到最低; AsV培养条件下, 不同硅/砷比并没有明显影响砷在剑叶中的亚细胞分布。